RTX50系顯卡曝致命缺陷：關(guān)鍵區域過(guò)熱危及使用壽命

體育資訊04月28日報道宣稱(chēng) 知名硬件分析師 Igor Wallossek 旗下的 Igor's Lab 近日發(fā)布報告，揭示了英偉達RTX 50 系列顯卡可能存在一個(gè)潛在的硬件缺陷：關(guān)鍵供電區域的溫度過(guò)高問(wèn)題。如果問(wèn)題得不到解決，這可能威脅到這些新一代顯卡的穩定性和長(cháng)期使用壽命。

Igor's Lab 的團隊通過(guò)熱成像和細致測試，在顯卡 PCB 上，特別是在電壓調節模塊（VRMs）附近，發(fā)現了局部的高溫熱點(diǎn)。分析認為，供電子系統中的電子元件（如 FETs、電感線(xiàn)圈等）為了追求緊湊的 PCB 設計，被放置得過(guò)于靠近，犧牲了散熱空間，加劇了熱密度。

測試數據顯示令人擔憂(yōu)。在一項對比測試中，PNY RTX 5070 和 Palit RTX 5080 Gaming Pro OC 顯卡的 VRM 區域溫度表現不一。RTX 5080 的 VRM 區域測得溫度為 80.5°C，而 RTX 5070 在同一區域的溫度飆升至驚人的 107.3°C，遠超長(cháng)期安全運行的范圍。這可能與 RTX 5070 相對較短的 PCB 設計導致供電元件更集中有關(guān)。

報告指出，這并非個(gè)例，該缺陷似乎影響了基于當前設計的所有 RTX 50 系列 GPU。Igor's Lab 推測，問(wèn)題根源可能在于英偉達提供給其合作廠(chǎng)商（AIB）的散熱設計指導存在疏漏，未能充分考慮理想散熱條件之外的情況、PCB 功率損耗及元件在高溫下的異常行為。

如果這些問(wèn)題未能解決，顯卡的供電元件（如電容、MOSFETs）在持續高溫下會(huì )加速老化，可能導致電壓不穩定、崩潰、焊點(diǎn)劣化，甚至縮短顯卡壽命，提前發(fā)生故障。這令人聯(lián)想到 RTX 4090 電源接口熔毀事件，但這次的問(wèn)題可能根植于 PCB 設計本身。